10.3969/j.issn.2095-2783.2014.09.014
电子束辐照对二氧化锡纳米晶生长的影响
通过溶胶凝胶法制备二氧化锡纳米晶,然后利用电子束辐照技术对其进行辐照.与未辐照样品对比表明:辐照样品的结晶性更好,比表面积比未辐照样品明显提高,辐照剂量为1 400 kGy,辐照样品的比表面积近2倍于未辐照样品.同时发现辐照样品在538和680 cm-1出现了新的拉曼峰.研究结果表明:电子束辐照技术对二氧化锡纳米晶成核和量子点生长是一种重要手段.
二氧化锡、电子束辐照、量子点
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O781(晶体生长)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20133108110021
2014-11-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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