10.3969/j.issn.2095-2783.2014.01.001
量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响
采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1100 r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5 V。
量子点发光二极管、量子点层厚度、发光特性
O463.1(真空电子学(电子物理学))
国家重点基础研究发展计划973计划资助项目2013CB328803,2010CB327705;国家自然科学基金资助项目50872022,60801002,60971017,51202028,51120125001;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20120092120025
2014-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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