10.3969/j.issn.2095-2783.2013.10.004
背照式像素电学串扰及其抑制
为改善背照式像素电学串扰问题,建立了小尺寸背面照射像素间的串扰物理模型,提出了一种应用于背照式像素的防串扰结构.该结构基于正面照射像素隔离原理,在相邻像素间器件层背面插入沟槽隔离区域.仿真结果显示,短波串扰构成了背照式像素中最为严重的串扰源；相邻像素经该结构优化后,可有效隔离背表面中短波串扰电荷；当沟槽深为3 μm时,相邻像素串扰量可由32.73％降至8.76％；当沟槽深为4μm时,相邻像素可实现电学串扰的完全抑制.此外,量子效率也会因该结构的使用而得到相应改善.
微电子学与固体电子学、背照式CMOS图像传感器、电学串扰、沟槽隔离、量子效率
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TN43(微电子学、集成电路（IC）)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20100032110031;国家自然科学基金资助项目61076024
2013-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
964-968,980
