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10.3969/j.issn.2095-2783.2013.03.020

[Ru(bpy)2(tatp)]2+介导d(AG)10和d(AC)10在ITO电极上的组装与氧化

引用
应用循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了[Ru(bpy)2 (tatp)]2+(bpy=2,2 '-联吡啶,tatp=1,4,8,9-四氮三联苯)介导d(AG)10和d(AC)10在铟锡氧化物(ITO)电极上的组装与氧化.结果表明,应用连续微分脉冲伏安法能有效地实现[Ru(bpy)2(tatp)]2+介导的d(AG)10和d(AC)10在ITO电极上的组装,并且d(AG)10的组装效果优于d(AC)10.ITO电极上的组装层在约0.64 V出现1对由表面电化学控制的氧化还原峰,峰电流随着伏安扫描次数的增大两增大.同时,[Ru(bpy)2(tatp)]2+能介导d(AG)10在ITO电极上的氧化,但对d(AC)10介导氧化效果不明显.此外,结合荧光显微镜和荧光光谱探讨了d(AG)10和d(AC)10在ITO电极上电化学组装和电催化氧化的机理.

物理化学、多吡啶钌(Ⅱ)配合物、DNA、电化学组装、电催化氧化

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O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)

高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20094407120008;广东省自然科学基金资助项目10351063101000001

2013-05-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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2095-2783

10-1033/N

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2013,8(3)

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