10.3969/j.issn.2095-2783.2013.03.018
粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究
采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300 nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜.薄膜的沉积速度达到40 nm/min,比采用传统陶瓷靶材射频磁控溅射技术的沉积速度高出1个数量级.在10 kHz～1 MHz的测试条件下,薄膜的介电常数随着频率的增加而减少,介电损耗均小于0.02;在-5～5V的偏置电压下,介电可调比达到59.3％.实验结果表明采用粉末靶材射频磁控溅射技术可以实现高品质铁电薄膜的快速沉积.
BaSn0.15Ti0.85O3薄膜、射频磁控溅射法、粉末靶材、介电可调
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TM27(电工材料)
国家级大学生创新性试验资助项目101059528;广西信息材料重点实验室开放基金资助项目桂科能1110908-10-Z;国家自然科学基金资助项目21176051,61166008
2013-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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