10.3969/j.issn.2095-2783.2013.02.011
N2分压对ZrGeN阻挡层微结构及性能影响
采用射频磁控溅射技术在Si(111)基体和Cu之间沉积ZrGeN阻挡层,重点研究了Cu/ ZrGeN/Si多层膜系中N2分压对ZrGeN微结构及阻挡层性能的影响.采用四探针电阻仪、X射线光电子能谱、X射线衍射仪、俄歇电子能谱表征ZrGeN薄膜和Cu/ZrGeN/Si多层膜体系的电阻率、成分、微结构和热稳定性能.ZrGeN薄膜结构在沉积过程中对N2与Ar气体流量比非常敏感,随N2/(Ar+N2)流量比的增加,依次形成多晶、类非晶ZrGeN膜层；较高N2含量的ZrGeN系统在800℃退火后仍能保持其菲晶结构,Cu在其中的扩散速度慢,可以作为扩散阻挡层使用.
薄膜、扩散阻挡层、微结构、热稳定性、非晶态
8
TN406;TB383(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目11075112;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20100181120112
2013-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
132-135
