10.3969/j.issn.2095-2783.2013.02.003
CdS纳米带的合成及其自组装机理
一维CdS纳米材料具有独特的光电性质,在纳米器件中有广泛应用.首先在水相中合成了CdS纳米带,然后借助扫描电镜、透射电镜、傅里叶变换红外光谱、能量色散谱、Zeta电位和荧光光谱等技术手段对纳米带进行了表征,并探讨了CdS纳米带的自组装机理.研究表明,这种多晶CdS纳米带是由CdTe纳米粒子中的Te2-缓慢氧化而得到的CdS纳米晶自组装形成的,强烈的偶极—偶极作用力是纳米粒子自组装的主要驱动力.纳米带的宽度为50～400nm,厚度为10～20nm,长度为几微米到几十微米.终产物中Cd、S元素的原子百分比接近1∶1,而Te的含量几乎为O,说明Te2-基本上被S2-所取代.
自组装、硫化镉、纳米带
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TB383(工程材料学)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110032120021
2013-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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