10.3969/j.issn.2095-2783.2011.02.011
Cu掺杂Li0.06(Na0.5K0.5)0.94NbO3压电陶瓷的相结构、微观结构与电学性能
采用传统烧结工艺制备了Cu掺杂的(Li,Na,K)NbO3基无铅压电陶瓷,研究了Cu掺杂量对陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明:当Cu掺杂量x≤1.2%(摩尔分数)时,陶瓷的晶粒度和致密度随Cu掺杂量的增加而增大,在x=1.2%时其相对密度达到最大值94.60%.当x>0.8%时,陶瓷中开始出现杂相,导致其压电性能下降.陶瓷的压电常数d33和机电耦合系数kp在x=0.8%时分别达最大值186 pC/N和33%.Cu的掺杂为受主掺杂,使陶瓷呈现一定的"硬性".陶瓷的机械品质因数Qm由x=0.3%时的162提高到x=1.0%时的318.
压电陶瓷、掺杂、烧结、电学性能、致密度
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TM282(电工材料)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20090006110010
2011-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
137-141,156
