GaN垂直腔面发射激光器研究进展
氮化镓(GaN)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在近20年来获得了飞速发展,已成为下一代半导体激光器的研究热点.GaN是制造从紫外波段到绿色波段光电子器件的绝佳材料,而VCSEL具有阈值和发散角小、调制速率高,以及输出光束呈圆对称等特点.首先回顾了基于GaN的VCSEL的发展历史,简要介绍了它的主要应用方向;然后讨论了反射镜与谐振腔设计与制造中的关键问题;接着分析了三种不同结构的GaN VCSEL的散热机理,并分析讨论了优化散热的策略;最后介绍了基于GaN的蓝色、绿色和紫外VCSEL的研究进展及最新思路.
激光器、垂直腔面发射激光器、氮化镓、半导体激光器、分布式布拉格反射镜
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
科学挑战专题;国家重点研发计划
2020-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共15页
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