CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响
为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化.采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaAs衬底样品与未敏化的样品进行对比.结果 表明:所制备的CdSe量子点大小均匀,尺寸约为20 nm,且均匀地附着在GaAs衬底上,CdSe量子点/GaAs形成了Ⅱ型能带结构.量子点敏化使GaAs衬底表面的载流子浓度升高.通过荧光光谱测试对各发光峰的来源进行了分析.测试数据显示,与敏化前相比,敏化后的GaAs衬底带边发光增强了2.25倍,缺陷发光增强了3倍.
光谱学、CdSe量子点敏化、GaAs、光致发光、Ⅱ型能带结构
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O433.4;O431.2(光学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金
2019-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
290-296
