单片集成430GHz三倍频器的设计及测试
通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430 GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12 μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片.单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外加偏置电压.平衡式电路只产生奇数次谐波,简化了电路分析和优化过程.电路设计采用三维电磁仿真软件与谐波非线性仿真软件联合仿真场路的方法,准确模拟单片电路的射频特性.将单片电路安装在中间剖开的波导腔体内制成三倍频器进行测试,在430 GHz处测得输出功率为215.7μW,效率为4.3％.
太赫兹技术、三倍频、反向并联、单片集成、肖特基势垒二极管
46
TN454(微电子学、集成电路（IC）)
2019-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
310-315
