非统一多量子阱波长可选DFB激光器
报道了一种单片集成的串联DFB激光器芯片,在合适工作条件下,可以在疏波分复用(CWDM)的两个信道波长激射.芯片通过非统一多量子阱有源区拓宽材料增益谱,给DFB激光器的纯折射率光栅引入弱增益耦合,提高DFB激光器的动态单模特性.芯片采用普通DFB激光器的制备工艺制备,工艺简单成本低,重复性高.测试结果表明,芯片能够在1.51 μm和1.53 μm两个波长激射,出光功率均能达到6 mW以上,边模抑制比均达到40 dB.
激光器、波长可选、非统一量子阱、弱增益耦合、单片集成
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TN242(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61006044、60776051、61006059;北京市自然科学基金4122014、4082007;北京市教委科技发展计划KM200910005001、KM200710005015资助课题
2013-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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