半导体薄膜实现Nd∶ YVO41064nm和1342nm双波长激光被动调Q
采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064nm激光的非线性吸收系数.建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd∶YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果.在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd∶YVO4激光器中,SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q,获得20ns的1064nm激光脉冲和19ns的1342nm激光脉冲输出.研究表明,薄膜对1064nm和对1342nm的双光子饱和吸收是双波长激光被动调Q的直接原因；激光器两个支腔输出损耗的差别和薄膜对两个波长的非线性吸收系数的相对值影响了双波长脉冲的宽度和时间间隔.
激光器、双波长脉冲、SiNx/Si/SiNx多层薄膜、被动调QNd∶YVO4激光器、双光子吸收
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TN248.1(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
2012-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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