单台面二极管晶圆红外激光划片工艺研究
在单台面二极管晶圆的制备中,刀具划片存在速度慢、芯片崩边率高等问题.激光划片为非接触加工,成品率高.根据晶体硅的性质,对激光划片方向进行了讨论,分析了红外激光对硅片的作用机理.根据一维热传导方程导出的近似解析解,计算了功率和扫描速度影响下的去除深度.使用1064 am脉冲光纤激光器完成了7.62 cm晶圆的激光划片,获得了崩边率小于1%,电性能合格率达到100%的样品.研究表明,去除深度影响芯片的崩边率,离焦量影响芯片的电性能.控制去除深度和离焦量进行划片会获得很高的良品率.
光学制造、激光技术、单台面二极管晶圆、红外激光划片、脉冲光纤激光器、去除深度
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TN249(光电子技术、激光技术)
2011-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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