一种新型大功率单发射腔半导体激光器及其特性
介绍了一种新型808 nm大功率单发射腔半导体激光器(F-mount).该激光器采用不同于商业化单发射腔半导体激光器的C-mount封装结构设计,散热效果更好.在20℃连续波(CW)运转条件下最大输出功率可达到13.3 W,并且重复实验并未产生光学腔面损伤(COMD).在准连续波(QCW)条件下最大功率可达到30.8 W.通过实验得出该器件的波长漂移系数为0.278 nm/℃,热阻为3.18 K/W,室温下阈值电流特征温度为135 K,室温下斜率效率特征温度为743 K.实验结果表明,该激光器在散热方面优于常用的C-mount封装型单发射腔半导体激光器,并且具有较小的热阻,能够实现更高的功率输出.
激光器、半导体激光器、高功率、单发射腔、热阻、特征温度
37
TN248.4(光电子技术、激光技术)
中国科学院"百人计划"
2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1186-1191
