铯分子饱和吸收谱的半导体激光器稳频
利用饱和吸收的方法得到了铯分子在780 nm附近X1∑+G→B1Πu能级跃迁吸收带的一段饱和吸收谱,利用铷87Rb原子饱和吸收谱的5S1/2(F=2)→5P3/2(F1=2)的跃迁线为标准确定这一段饱和吸收谱的位置.实验中对其中的5条吸收峰进行了仔细观测,利用其中的一条饱和吸收峰"R5"对780 nm半导体激光器进行了稳频.测得稳频后的激光在800 s内频率的漂移小于1.5 MHz,从而提供了一种利用铯分子饱和吸收峰对780 nm半导体激光器进行稳频的新方法.此激光可以用于制备超冷基态铯分子,同时也可作为光通信波段1560 nm处的倍频参考光.
激光光学、稳频、饱和吸收光谱、铯分子、半导体激光器
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金;国家基础科学人才培养基金;山西省自然科学基金;山西省回国留学基金
2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1182-1185
