10.3321/j.issn:0258-7025.2007.09.004
高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器
利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100 μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.
激光器、红光半导体激光器、大功率、高透腔面、650nm
34
TN248.4(光电子技术、激光技术)
2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
1182-1184
