10.3321/j.issn:0258-7025.2007.08.023
一种检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法
提出一种精确检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法.将对准标记曝光到硅片表面并进行显影;利用光学对准系统测量曝光到硅片上的对准标记理论曝光位置与实际读取位置的偏差;由推导的位置偏差与非正交因子、坐标轴尺度比例、过程引入误差的线性模型,根据最小二乘原理计算出干涉仪测量系统的非正交性.实验结果表明,利用该方法使用同一硅片在不同旋转角下进行测量,干涉仪测量系统非正交因子的测量重复精度优于0.01 μrad,坐标轴尺度比例的测量重复精度优于0.7×10-6.使用不同的硅片进行测量,非正交因子的测量再现性优于0.012 μrad,坐标轴尺度比例的测量再现性优于0.6×10-6.
测量、激光干涉仪、非正交性、光学对准、工件台、光刻机
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TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金60578051;国家高技术研究发展计划863计划2002AA4Z3000
2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1130-1135
