10.3321/j.issn:0258-7025.2006.09.026
脉冲激光沉积β-FeSi2/Si(111)薄膜的工艺条件
用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的β-FeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到β-FeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.基片温度为500℃,采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的β-FeSi2薄膜.衬底温度为550℃时,β-FeSi2出现迷津状薄层.采用飞秒脉冲激光法β-FeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50～100℃;薄膜的晶粒分布均匀连续,没有微米级的微滴;飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上,是一种快速高效的β-FeSi2薄膜沉积技术.
薄膜、β-FeSi2、脉冲激光沉积法、飞秒激光
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O4(物理学)
湖北省武汉市青年科技晨光计划20035002016-15
2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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1277-1281
