10.3321/j.issn:0258-7025.2006.09.002
低阈值高效率InAlGaAs量子阱808 nm激光器
以Al0.3Ga07As/InAlGaAs/Al03Ga07As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率.首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长.通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%.对于条宽为50 μm,腔长为750 μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率达53.7%.变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2 cm-1,内量子效率达90%.结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性.
激光器、InAlGaAs量子阱、金属有机物化学气相淀积
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TN2(光电子技术、激光技术)
北京市优秀人才培养基金67002013200303;北京市人才强教计划05002015200504
2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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