10.3321/j.issn:0258-7025.2006.08.002
高功率、高效率线阵半导体激光器的阳极氧化制备方法
在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QCW)线阵半导体激光器,实现了808 nm波段线阵激光器的高效率、高功率运转.脉冲阳极氧化工艺主要用于器件工艺中的蚀刻与绝缘膜制备,电解液采用乙二醇∶去离子水∶磷酸∶2%盐酸的体积比为40∶20∶1∶1的混合溶液.研制的准连续线阵半导体激光器的填充因子约为72.7%,100 Hz,200μs准连续工作条件下的阈值电流约为24 A,斜率效率达到1.25 W/A,最大电-光转换效率达到51%.
激光器、半导体激光器、阳极氧化、应变量子阱、线阵激光器
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60474026;60477010
2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
1013-1016
