10.3321/j.issn:0258-7025.2004.03.010
自发辐射因子对VCSEL在大信号调制下的分岔及混沌行为的影响
在SIMULINK平台下开发了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的动态仿真模型,实施高频大信号调制情形下的动态仿真,避免了大信号近似处理,提高了计算精度.选择自发辐射因子为控制参量,定量分析它对VCSEL稳定性和分岔点的影响.结果表明,在所选参量条件下,自发辐射因子数值在5×10-3～5×10-5之间时,随着调制深度的加深,VCSEL峰值光子密度产生分岔,呈现双稳、多周期,最后回到单周期;当小于10-5时,进入混沌状态的演变过程.同时分岔点的移动依赖于自发辐射因子的大小,调控自发辐射因子可以抑制系统的非线性行为.仿真结果与文献实验结果吻合.
激光技术、分岔、混沌、调制、自发辐射因子
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金10174057;国家重点实验室基金
2004-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
293-296
