10.3321/j.issn:0258-7025.2002.12.002
940 nm无铝双量子阱列阵半导体激光器
分析了影响列阵半导体激光器极限输出功率的因素.利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器.无铝列阵激光器的峰值波长为940.2 nm,半峰宽为2 nm,连续输出功率为10 W,斜率效率为1.09 W/A.
量子阱、半导体激光器、列阵
29
TN248.4(光电子技术、激光技术)
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1061-1063
10.3321/j.issn:0258-7025.2002.12.002
量子阱、半导体激光器、列阵
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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