10.3321/j.issn:0258-7025.2000.09.020
激光熔蚀反应淀积AlN薄膜残余应力及热稳定性的研究
激光熔蚀反应淀积于Si(100),Si(111)基底上的AlN薄膜是高质量高取向性的AlN多晶膜,薄膜与基底的取向关系为AlN(100)∥Si(100),AlN(110)∥Si(111).薄膜具有较低的残余应力和较好的热稳定性.实验结果表明,当氮气压强和放电电压分别为100×133.33 Pa和650 V时,薄膜的残余应力低于3 GPa.此样品在纯氧环境500℃时,经过3 h的退火,红外吸收谱检测未发现有Al2O3特征峰出现.对AlN/Cu双层膜的研究表明所制备的AlN薄膜在金属薄膜的防护上也有潜在的应用价值.
AlN薄膜、AlN/Cu双层膜、残余应力、热稳定性
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TN4;O43(微电子学、集成电路（IC）)
2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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