10.13334/j.0258-8013.pcsee.212292
基于声发射的Cascode型GaN HEMT器件机械应力波检测与分析
近年来,以氮化镓(gallium nitride,GaN)材料为代表的第三代功率半导体器件开始被广泛地应用于高压高温高频的工作场合.在这些环境下对器件进行及时、高效的无损检测可以防患于未然,减少或避免器件损伤带来的损失.文中基于声发射检测技术,对目前应用较多的共栅共源型GaN高电子迁移率晶体管的机械应力波进行检测与分析.分别对器件散热侧和封装侧进行多组重复性实验,利用声发射探头采集其工作时发出的声信号并进行滤波分析,最后总结出该器件开通、关断应力波参数的特征和变化规律.旨在探究器件机械应力波受漏源电压以及栅源电压的影响规律,为下一步进行功率循环实验,建立器件健康状态与其机械应力波之间联系奠基.
氮化镓高电子迁移率晶体管、机械应力波、漏源电压、栅源电压
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TM930
国家自然科学基金;长沙市科技计划项目;电力传输与功率变换控制教育部重点实验室开放课题
2023-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共12页
750-760,中插27
