10.3321/j.issn:0258-8013.2007.09.001
氧化铝陶瓷绝缘子真空沿面闪络过程中的陷阱机制
采用热刺激电流法(TSC)研究了不同烧结温度和掺有不同添加剂的氧化铝陶瓷的陷阱能级密度分布特性以及在负脉冲电压作用下的真空中表面带电和沿面闪络特性.研究发现,氧化铝陶瓷的陷阱分布与其真空中的表面带电和沿面闪络特性之间存在一定的内在联系,即材料中的陷阱密度越大,其表面电荷密度越高,且沿面闪络电压越低.上述结果表明,氧化铝陶瓷在真空沿面闪络过程中,除了电介质的二次电子发射作用外,载流子的入陷、脱陷机制也起着相当重要的作用.
热刺激电流、沿面闪络、真空、陷阱分布、表面电荷
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TM85(高电压技术)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2007-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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