10.11857/j.issn.1674-5124.2020090114
用光热反射热成像测量GaN HEMT稳态温度
为测量GaNHEMT表面GaN微小结构稳态条件下的温度分布,研发光热反射热成像实验装置并对典型的GaN HEMT进行温度测试.该实验装置以365 nm紫外LED作为光源,具备405 nm的空间分辨率.测试结果显示:实验装置能有效分辨被测件栅极与漏极之间GaN材料的温度分布,以热成像的方式测得被测件GaN材料区域的表面温度分布.在滤除噪声影响后,在14 W直流功耗下对GaN材料测温结果与国外商用仪器相比误差约为2℃.该光热反射实验装置可实现对GaN HEMT进行亚微米量级高空间分辨率稳态温度分布测试.
光热反射热成像;GaNHEMT;温度分布;稳态
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TN322.8(半导体技术)
2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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