10.11857/j.issn.1674-5124.2018100027
用于在片测试系统整体校准的电阻标准件
为解决在片测试系统中1～1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调节长与宽的比值,研制出1～1000Ω电阻标准件.为消除电阻测量过程中芯片内部回路引线的影响,研制出相对应的短路器.通过组建具有温度控制系统的定标装置,在?40～100℃温度下对标准件进行定标,定标结果表明电阻标准件的阻值与温度具有良好的线性关系,短期重复性RSD优于0.05％,年稳定性RSD优于0.1％,可以有效解决现有在片测试系统低值电阻参数的整体校准问题.
在片测试系统、校准、薄膜溅射法、电阻标准件、短路器
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TB971(计量学)
2019-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
97-101,116
