10.11857/j.issn.1674-5124.2017.07.017
MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制
针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用GaAs半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于GaAs衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件.组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出年稳定性优于0.1%的在片标准件.经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题.
MEMS片上测试系统、绝缘性能、片上高阻标准件、标定
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TM8;TN3
2017-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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