10.11857/j.issn.1674-5124.2017.03.004
精确测定InxGa1-xN晶体薄膜中铟含量的卢瑟福背散射法研究
采用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)在蓝宝石上生长InxGa1-xN/GaN晶体薄膜,GaN缓冲层的厚度为2.5μm,InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800 nm,通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值,确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性,取样品均匀性良好的铟镓氮晶片进行卢瑟福背散射实验,每个实验室测量6个样品,两个实验室共同完成,对数据进行分多层精确拟合分析,获得外延层中的xIn,xIn值由多层拟合结果的加权平均值和定值不确定度组成.研究结果表明:采用入射离子4He,能量为2000 keV,散射角为165°时,铟镓氮晶片中铟含量(x=20.46%)的相对测量不确定度为2.47%,包含因子k=2.
氮铟镓、金属有机化合物气相淀积法、卢瑟福背散射、测量不确定度
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TG1;TH1
国防基础科研项目J092009A001
2017-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
15-18,57
