10.11857/j.issn.1674-5124.2016.05.005
Flash存储器并行耐久测试方法
传统闪存(Flash)芯片耐久测试需要对整块芯片按扇区串行进行擦写测试,测试时间长、效率低、成本高,不利于其批量耐久测试和产业化发展.该文基于“资源换速度”的思想提出一种高效的Flash存储器并行耐久测试方法,通过对多片Flash芯片并行进行擦写测试,对不同芯片擦写不同扇区来提升其耐久测试效率,并进一步对耐久测试Flash芯片的不同扇区等效性进行分析,对等效性需要满足的条件和要求进行探讨.实验结果表明:并行耐久测试能有效缩短测试时间,其效率提升程度与并行测试的芯片数量成正比,加速测试结果与理论曲线符合较好.
闪存、存储寿命、耐久测试、扇区等效性、并行测试
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TP3;TN4
2016-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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