10.3969/j.issn.1674-5124.2007.06.008
晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法
少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响.分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC),并指出了各种方法的优点和不足.
晶体硅、太阳能电池、少子寿命、微波光电导衰减、准稳态光电导、表面光电压
33
O785;O77(晶体生长)
国家高技术研究发展计划863计划2006AA05Z405
2008-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
25-31
