10.16055/j.issn.1672-058X.2020.0006.002
一种利用体偏置改善温度特性的电流源
基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40～85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22％,而无体偏置电流源偏离达100％之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50％.
绝缘体上硅、电流源、体偏置、温度系数
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TN495(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学青年基金资助项目61804053
2020-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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