10.3969/j.issn.1672-058X.2008.04.005
多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响
采用特征矩阵法计算了一层掺杂、双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的变化特征,得到了掺杂层数的变化对缺陷模的数目、峰高和半高宽都有明显的影响.一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模;双层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模,中心缺陷模的半高宽随掺杂层数的增加而减小.对称缺陷模的峰高和半高宽都随掺杂层数的增加而减小;对称缺陷模的位置随掺杂层数的增加而向中心缺陷模移动.
光子晶体、特征矩阵、缺陷模、多掺杂
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O436(光学)
教育部工程研究中心基金07011302
2008-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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