SiO2对多层GaN外延片热应力分布影响的仿真分析
为了研究SiO2对多层结构GaN外延片的热应力的影响,以直径d为Φ40 mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法分别对蓝宝石/AlN/GaN和蓝宝石/SiO2/AlN/GaN这两种光阴极组件外延片表面热应力进行理论计算和仿真.在其他结构参数相同的情况下,分别分析了两种光阴极组件外延片径向和厚度方向的应力分布,分析了外延片热应力分布及影响因素.分析结果显示:在1 200 ℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,厚度方向的热应力均在衬底和外延层的界面上发生突变.最后分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和GaN、AlN过渡层厚度对表面热应力的影响.
热应力、氮化镓外延层、有限元、仿真
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TN104(真空电子技术)
微光夜视技术重点实验室基金BJ2014004;西安工业大学校长基金01001302
2017-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
887-894
