10.3321/j.issn:0254-3087.2007.12.011
一种可用于Footing效应模拟的ICP刻蚀模型
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀在目前的硅微机械加工中应用十分广泛.在这一加工过程中,存在着影响结构拓扑特性、被加工结构性能的一些效应,SOI结构中的Footing效应就是其中之一.本文在利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP刻蚀表面进行建模及数值模拟的基础上,根据Footing效应的实验表现特征,设定类高斯分布的表面描述方程.同时借助实验数据确定了表面描述方程中的参数,添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块.最后对Footing效应刻蚀表面进行模拟,并得到与实验较为一致的表面模拟结果.
电感耦合等离子体刻蚀、Footing效应、表面描述方程、模型、模拟
28
TN405(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金50325519;合肥工业大学博士学位专项基金108-035026
2008-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2169-2173
