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10.3969/j.issn.1007-2330.2011.05.013

C/C复合材料SiC/SiO2涂层的制备及其抗氧化性能

引用
为提高C/C复合材料的抗氧化性能,采用包埋法和低压化学气相法制备了SiC/SiO2涂层.借助XRD、SEM和EDS等测试手段分析了复合涂层的微观结构,并研究了其在l273、1773 K静态空气中的抗氧化性能.结果表明,包埋法制备的SiC涂层具有一定的浓度梯度.低压化学气相法制备的非晶Si02外涂层则有效地封堵了SiC内涂层的的裂纹和孔洞,并解决了SiC涂层在中温区(1073~1473 K)无法形成完整SiO2膜的问题.在l 273、1 773 K静态空气中经10h氧化后,涂层试样的质量损失率分别仅有4.97和0.36 mg/cm2,表现出良好的抗氧化性能.

C/C复合材料、包埋法、LPCVD、SiC、SiO2、抗氧化

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TQ3;TQ1

国家重点基础研究发展计划资助项目2011CB605805;国家创新群体基金项目51021063

2012-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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宇航材料工艺

1007-2330

11-1824/V

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2011,41(5)

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