上海硅酸盐所在浮区法生长Ce∶GGAG闪烁晶体方面取得系列进展
近期,中国科学院上海硅酸盐研究所副研究员石云等人开展了低Ga含量Ce∶GGAG(Ga/Al比为2/3)的光浮区法(optical floating zone method,OFZ)晶体生长和闪烁性能研究.与传统的提拉法(CZ)法和微下拉法(m-PD)法相比,光浮区法在晶体生长过程不需要坩埚,几乎不会在生长过程中引入杂质,可生长高熔点的晶体.生长速度与其他单晶生长方法相比较快,提高了晶体生长效率且晶体生长质量较高,在新材料研发方面具明显优势.
闪烁晶体、硅酸盐、浮区法、ggag
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O78;O482.31;TQ174
2023-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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