10.3969/j.issn.1673-5137.2014.03.12
G652.D光纤在长波段的传输损耗研究
通过对光纤损耗机理进行了深入分析,并采用VAD工艺调整GeO2含量和芯层直径,分析了制备过程中GeCI4流量和芯层直径与瑞利散射的关系.实验结果表明,G652.D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加,且掺Ge量的影响大干芯径变化的影响.
低损耗、吸收、瑞利散射、超长距离传输、VAD
TN2;TN9
2014-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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