10.3969/j.issn.1673-7598.2011.07.004
单相共筒式SF6气体绝缘装置母线温度场计算
以4 kA单相GIS母线为研究对象,根据发热机理通过建立数学模型分析了该GIS母线的温度场分布；建立有限元模型计算母线的涡流损耗,并将损耗结果间接耦合至温度场与流场.分析结果显示,在单相GIS母线中温度场呈对称分布,最低温度出现于外壳底部,最高温度出现在母线导体顶端,导体正上方位置SF6气体流速最高,导体下方流体流速接近于零.仿真结果与实验室数据的对比验证了计算的准确性.最后,模拟故障情况,分析了不同接触电阻情况下母线外壳温度分布的变化状况,为GIS母线温度在线监测提供了参考.
GIS母线、数学模型、温度场分布、涡流损耗、接触电阻
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TM135(电工基础理论)
科技部科学技术创新项目2010NCSIE-9731;教育部博士点基金项目20100141120026
2011-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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