10.19665/j.issn1001-2400.2023.01.012
一种砷化镓工艺的双向真时延芯片设计
采用0.25μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/Ku波段的双向真时延芯片的设计.通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关,实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路.其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现,单位面积下具有较高的延时量,并通过双向有源开关选择延时路径来控制延时大小.延时芯片的工作带宽为6～18 GHz,可实现3位延时,最小延时步进为15 ps,最大延时范围为106 ps.仿真结果表明,其具有相对较低的插入损耗8.1～15 dB,且损耗随时延的波动小于±2 dB.芯片尺寸为1.91 mm2,群时延均方根误差小于10 ps,回波损耗大于15 dB,直流功耗为110 mW,输入1 dB压缩点大于7 dBm.
真时延、延时电路、砷化镓、全通滤波器、低插入损耗波动
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家基础加强重点项目2019JCJQZD24603
2023-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
102-108,128
