10.19665/j.issn1001-2400.2022.06.007
一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计
为满足宽频带射频通信接收前端低噪声放大器的设计需求,提出一种基于共发射极密勒电容的宽带匹配结构.该结构利用异质结双极性晶体管的密勒电容,将负载纳入输入匹配网络进行设计,从而实现宽带输入匹配.该结构在实现良好的低噪声性能的同时,能够有效拓展放大器的工作频带.基于0.13μm SiGe BiCM OS工艺,设计了一款宽带低噪声放大器,电路采用三级级联结构,首级采用密勒电容宽带匹配结构,可降低噪声并实现输入宽带匹配,后两级采用共基共射结构用于补偿增益.仿真结果表明,在6～30GHz频带内,低噪声放大器的增益为16.5～19.1dB,噪声系数为1.43～2.66dB,输入反射系数S11小于-11.9dB,输出反射系数S22小于-13.7dB.放大器在整个频段内无条件稳定.在1.8V供电电压下电路的直流功耗为38.7mW,整体芯片面积为0.88mm2.该低噪声放大器综合性能优良,可应用于宽带接收系统.
宽带低噪声放大器、SiGe BiCMOS、噪声、阻抗匹配
49
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家基础加强重点项目2019JCJQZD24603
2023-02-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
51-57,66
