10.19665/j.issn1001-2400.2020.01.004
W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC
采用100 nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路.该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底.放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,实现较高的增益和较高的输出功率.同时,该放大器通过由1/4波长微带线构成的直流偏置网络进行片上集成设计,实现全单片集成.测试结果表明,当工作电压为15 V时,该放大器芯片在88～98 G Hz范围内,典型小信号增益为20 dB,连续波状态下饱和输出功率大于250 mW.在98 GHz下,芯片实现最大输出功率为405 mW,功率增益为13 dB,功率附加效率为14.4％.因此,该GaN功率放大器芯片输出相应的最大功率密度达到3.4 W/mm.
GaN高电子迁移率晶体管、W波段、功率放大器、微带线、微波单片集成电路
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TN722(基本电子电路)
国家自然科学基金61474101
2020-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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