10.3969/j.issn.1001-2400.2018.06.020
ESD应力下改进型SCR器件设计与漏电特性优化
为探讨片上集成电路静电放电防护的易闩锁与漏电软失效问题 ,设计了一种内嵌M OS结构的N跨桥可控硅器件 .传输线脉冲测试结果表明:与传统N跨桥改进型可控硅相比 ,该器件的电压回滞幅度减小了约28.6% .然而 ,当作用于该器件的瞬态电流从2 .0 A增大到3 .2 A时 ,漏电流从2 .8×10 -7A逐渐退化至1 .7×10 -5A ,器件较易发生软失效 .借助TCAD技术 ,仿真结果表明:在10-4A的静电脉冲应力作用下 ,该器件内部晶格温度高达1 160 .5 K .通过优化内嵌M OS结构的N跨桥可控硅器件的版图及其金属布线 ,削弱器件内部的功率密度聚集效应 ,可使器件在相同电应力下漏电流稳定在10-9A量级 .因此 ,该版图优化方法可有效地抑制器件的局部过热 ,提高片上集成电路的静电放电防护方案的热稳定性 .
静电放电、可控硅、漏电特性、版图优化、热效应
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TN335(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61504049;中国博士后基金资助项目2016M600361;江苏省自然科学基金资助项目BK20150156;江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目KYCX17_1487
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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