简讯
近日，第十一届氮化物半导体国际会议（ICNS）在北京召开，本次会议由北京大学主办。该会议是氮化物半导体领域最重要、最前沿的顶级国际学术会议。我校宽带隙半导体国家重点学科实验室的郝跃院士、张进成教授、马晓华教授等参加了这次会议。
国际学术会议、化物半导体、宽带隙半导体、国家重点学科、国际会议、北京大学、实验室、院士、前沿
TN9;TN
2016-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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