10.3969/j.issn.1001-2400.2015.04.007
深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响
硅基集成波导滤波器通孔的显微结构和阵列精度对硅基集成波导滤波器的电磁性能和可靠性至关重要。采用 KOH 溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀以及感应耦合等离子体刻蚀3种方法在晶向为[100]的高阻硅单晶衬底上加工了通孔阵列，并采用线宽测量仪和扫描电镜对通孔尺寸、阵列精度以及通孔侧壁的显微结构进行了表征，对比研究了不同深刻蚀方法对硅基集成波导滤波器通孔侧壁显微结构的影响。结果表明，采用感应耦合等离子体刻蚀方法得到的硅基集成波导滤波器通孔阵列的显微结构最佳，精度最高，且通孔侧壁的粗糙度最低。由此可见，在目前工艺设备和技术水平的情况下，感应耦合等离子体刻蚀是最适合加工高性能、高精度和高可靠性硅基集成波导滤波器通孔阵列的方法。
基片集成波导滤波器、通孔、深刻蚀、显微结构
TN405.98(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61106106；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目K5051325002
2015-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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