10.3969/j.issn.1001-2400.2014.04.005
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地 N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
漏极接触孔到栅间距、静电放电、栅接地N型金属氧化物半导体
TN406(微电子学、集成电路（IC）)
国家部委预研究基金资助项目9140A23060111;陕西省科技统筹创新工程计划资助项目2011KTCQ01-19;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目K5051325011
2014-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
26-30
