10.3969/j.issn.1001-2400.2014.03.020
一种新型双通道 MOS 开关栅压自举电路
设计了一种新的低压、高速、高线性度的双通道 MOS 开关栅压自举电路，该电路采用同时自举NMOS 和 PMOS 的并行结构，不但降低了 MOS 开关的导通电阻值，同时在输入信号的全摆幅范围内实现了常数的导通电阻；考虑了器件可靠性要求且与标准的 CMOS 工艺技术兼容．采用0.13μm CMOS 工艺和1.2 V 工作电压的仿真实验表明，提出开关的导通电阻在全摆幅输入信号范围内的变化量小于4.3％；在采样频率为100 M Hz ，输入峰峰值为1 V ，输入频率为100 M Hz时，提出开关的总谐波失真达到-88．33 dB ，较之传统的 NMOS 自举开关以及标准的 CMOS 传输门开关，分别提高了约-14.8 dB 和-29 dB ．设计的开关可应用于低压、高速高精度的开关电容电路中．
自举电路、线性 CMOS开关、常数导通电阻、电荷泵、开关电容电路、低电压
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家重大科技专项资助项目2012ZX03001018-001；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目K50511250006
2014-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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