10.3969/j.issn.1001-2400.2013.04.012
CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44 Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32 Pa.
正交法、计算流体动力学、减压化学气相淀积、锗硅
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TN304;O351.2(半导体技术)
国家重点基础研究973资助项目6139801-1
2013-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
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