10.3969/j.issn.1001-2400.2013.03.018
应变Si/(101)SixGe1-x空穴迁移率
采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明:双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比,最多提高约2倍.文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考.
应变Si、各向异性、迁移率
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
教育部博士点基金资助项目JY0300122503;中央高校基本业务费资助项目K5051225014,K5051225004;陕西省自然科学基础研究计划资助项目2010JQ8008
2013-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
121-125
